來自第一線的奮斗報告丨天岳先進：一家國產(chǎn)半導體企業(yè)的進階

當前，山東深入貫徹落實習近平總書記重要指示要求，認真落實黨中央決策部署，堅決扛起“經(jīng)濟大省要勇挑大梁”的責任擔當，扎實開展各項工作。9月1日起，大眾日報及客戶端等新媒體平臺推出“走在前 開新局——來自第一線的奮斗報告”大型全媒體主題報道，挖掘全省國有企業(yè)、民營企業(yè)、中小微企業(yè)、個體工商戶、農(nóng)村新型經(jīng)營主體以及各行各業(yè)中的先進典型，展現(xiàn)山東勇?lián)姑㈨频Z奮進的生動實踐，進一步凝聚起“走在前、開新局”的磅礴力量，以實際行動迎接黨的二十大勝利召開。今天刊發(fā)第七組報道，聚焦山東天岳先進科技股份有限公司——

啃下技術(shù)“硬骨頭”，拳頭產(chǎn)品市場占有率全球前三，天岳先進——

一家國產(chǎn)半導體企業(yè)的進階

□大眾日報記者 王健

9月4日，星期日，山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）的生產(chǎn)車間內(nèi)卻是一片忙碌景象。不久前，該公司拿到碳化硅領(lǐng)域大訂單，含稅銷售總額預計為13.93億元。

這家僅有12歲的年輕企業(yè)，攻克了領(lǐng)域內(nèi)多項關(guān)鍵核心技術(shù)，取得460余項核心專利，獲評國家級專精特新“小巨人”企業(yè)、制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)。國際知名行業(yè)咨詢機構(gòu)YOLE報告顯示，天岳先進半絕緣型碳化硅襯底市場占有率連續(xù)三年位居全球前三。

碳化硅襯底以其制作的器件具有耐高溫、抗高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，在新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電等領(lǐng)域應用廣闊。在天岳先進展廳內(nèi)，公司黨委書記竇文濤告訴記者，他們解決了碳化硅材料生長、襯底加工等一系列難題，實現(xiàn)在碳化硅領(lǐng)域的突破。

在元素周期表中，碳和硅的組合可以產(chǎn)生200多種晶型，而最適合半導體使用的4H單晶體生長難度最大。在碳化硅晶體生長爐內(nèi)，溫度高達2300度。“最開始時，開爐就像開盲盒，能不能拿到4H單晶體全憑運氣。開一爐需要很長時間，拿到我們想要的數(shù)據(jù)需要數(shù)次試驗，時間不等人。”竇文濤說，公司在不斷增加設(shè)備的過程中，還實現(xiàn)了設(shè)備的自主研發(fā)，改變了高端半導體設(shè)備依賴進口的局面。

襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標之一。“我們最初的產(chǎn)品是2英寸襯底，從2英寸到8英寸，我們用了10年。”竇文濤告訴記者，擴徑并不是簡單從2到3，而是從2.1、2.2開始，而且每一次擴徑意味著從設(shè)計到加工全流程的提升。

2015年，天岳先進4英寸碳化硅襯底投入生產(chǎn)，隨后的幾年里，公司通過自主創(chuàng)新，研發(fā)出半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品，實現(xiàn)從0到1的突破。

今年6月，天岳先進6英寸導電型襯底開始大批量供貨，并與下游客戶簽署了總額為13.93億元的3年供貨合同。竇文濤說，天岳先進將持續(xù)加大8英寸導電型襯底產(chǎn)業(yè)化力度。

“碳化硅半導體材料生長溫度高，影響因素多，技術(shù)迭代周期相對較長。”竇文濤介紹，他們將采用AI技術(shù)、數(shù)字孿生技術(shù)，打造出數(shù)字化工廠，通過數(shù)字工廠和實體工廠聯(lián)動，壓縮技術(shù)迭代時間，提高研發(fā)速度。

天岳先進還將依托國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站等多個研發(fā)平臺，為研發(fā)團隊的技術(shù)創(chuàng)新和人才培養(yǎng)提供有力支撐，并持續(xù)加大研發(fā)投入。“我們是一個典型的創(chuàng)新型企業(yè)，創(chuàng)造性地將研發(fā)分為基礎(chǔ)研究、工程化和產(chǎn)業(yè)化三個層面。”天岳先進董事長宗艷民表示，堅持科技創(chuàng)新是企業(yè)不變的追求，今年上半年，公司研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例為33%。

來源：大眾日報客戶端