【脫水研報】華為公布兩項專利技術 碳化硅成芯片散熱新路線

9月19日，截至午間收盤，碳化硅概念股表現活躍，天富能源、天通股份漲停，東尼電子、晶升股份、天岳先進、晶盛機電等跟漲。

消息面上，日前，華為公布兩項專利，均涉及碳化硅散熱，包括《導熱組合物及其制備方法和應用》和《一種導熱吸波組合物及其應用》，兩項專利均用碳化硅做填料，提高電子設備的導熱能力。其中，前者應用領域包括電子元器件的散熱和封裝芯片，后者應用領域包括電子元器件、電路板。

除此之外，此前英偉達在其新一代Rubin處理器設計中，將CoWoS先進封裝的中間基板材料從硅更換為碳化硅，以提升散熱性能，并預計2027年開始大規模采用。

碳化硅材料具有優異的導熱性能，僅次于金剛石。公開資料顯示，碳化硅熱導率達500W/mK，相比之下，硅的熱導率僅為約150W/mK，陶瓷基板熱導率約200W/mK~230W/mK。此外，碳化硅熱膨脹系數與芯片材料高度契合，既能高效散熱，又能保障封裝穩定性。

據數據寶統計，今年9月份以來，多只碳化硅概念股獲融資資金加倉，通富微電、露笑科技、天岳先進、英唐智控、天通股份獲加倉金額均超過3億元。

碳化硅應用領域從電力電子擴展到封裝散熱，打開了市場增量空間。東吳證券測算，以當前英偉達H100 3倍光罩的2500mm2中介層為例，假設12英寸碳化硅晶圓可生產21個3倍光罩尺寸的中介層，2024年出貨的160萬張H100若未來替換成碳化硅中介層，則對應76190張襯底需求。

責任編輯：榮曉敏