智新半導體已研制出基于第3代半導體碳化硅的功率模塊 2022-10-10 09:55 array(1) { [444764]=> array(2) { [2]=> array(3) { [0]=> string(9) "半導體" [1]=> string(9) "碳化硅" [2]=> string(4) "IGBT" } [4]=> array(1) { [0]=> string(19) "同花順7x24快訊" } } } 同花順7x24快訊 0 據湖北日報，東風公司旗下智新半導體已成功研制出基于第3代半導體碳化硅的功率模塊，能實現更低損耗、更高效率，承受更高溫度、更高電壓。搭載到整車上后，能進一步提升車輛續航里程，減少整車成本。智新半導體已投產的IGBT模塊，能夠滿足車規級產品的高可靠性要求，比同類進口產品至少便宜10%以上。目前，智新半導體正啟動IGBT模塊二期項目建設方案，年產能將達到120萬只，預計2024年建成，不僅能滿足東風公司到2025年產銷100萬輛新能源汽車對IGBT模塊的需求，還能為其他車企供貨。
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