成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素，不過業(yè)界正從最原始的晶體生長以及襯底加工環(huán)節(jié)來進(jìn)一步降低成本，這包括TSSG晶體生長法、激光切割技術(shù)等。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。
成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素，不過業(yè)界正從最原始的晶體生長以及襯底加工環(huán)節(jié)來進(jìn)一步降低成本，這包括TSSG晶體生長法、激光切割技術(shù)等。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。
請輸入驗(yàn)證碼