據(jù)中國臺灣電子時(shí)報(bào)消息，3D NAND200層堆棧以上賽局加速展開，繼存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)提出業(yè)界首家232層堆棧3DNAND Flash將于2022年底前率先量產(chǎn)，近日市場傳長江存儲(chǔ)將跳過原定192層技術(shù)，直接挑戰(zhàn)232層NAND，并于2022年底量產(chǎn)。存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者指出，如此一來，長江存儲(chǔ)可望趕上其他NAND大廠如三星電子等。
據(jù)中國臺灣電子時(shí)報(bào)消息，3D NAND200層堆棧以上賽局加速展開，繼存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)提出業(yè)界首家232層堆棧3DNAND Flash將于2022年底前率先量產(chǎn)，近日市場傳長江存儲(chǔ)將跳過原定192層技術(shù)，直接挑戰(zhàn)232層NAND，并于2022年底量產(chǎn)。存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者指出，如此一來，長江存儲(chǔ)可望趕上其他NAND大廠如三星電子等。
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