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同花順7x24快訊
供應鏈透露，聯電近期擴大第三代半導體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預計下半年將進駐8英寸AB廠，瞄準8英寸晶圓生產第三代半導體的經濟效益優于6英寸晶圓的方向。報道稱，聯電先前第三代半導體布局，主要透過轉投資聯穎光電切入，鎖定6英寸氮化鎵產品，主要是考慮目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少。
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